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2SJ579

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SJ579概述

Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN

2SJ579规格参数

参数名称属性值
Objectid1544142489
包装说明PCP, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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