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MJE350

产品描述pnp epitaxial silicon power transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共2页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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MJE350概述

pnp epitaxial silicon power transistor

MJE350规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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Transys
Electronics
L I M I T E D
PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR
MJE350
TO126
Plastic Package
EC
B
Designed for use in Line-Operated Applications sush as Low Power, Line- Operated Series
Pass and Switching Regulators
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation @ T
a
=25ºC
Derate above 25ºC
Power Dissipation @ T
c
=25ºC
Derate above 25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Junction to Ambient in free air
Junction to Case
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
VALUE
300
300
3.0
500
1.25
10
20
0.16
- 65 to +150
UNIT
V
V
V
mA
W
mW/ºC
W
W/ºC
ºC
R
th (j-a)
R
th (j-c)
100
6.25
MIN
300
MAX
100
100
30
240
ºC/W
ºC/W
UNIT
V
µA
µA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
c
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
V
CEO (sus)
I
C
=1mA, I
B
=0
Collector Emitter Sustaining Voltage
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
DC Current Gain
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
=300V
,
I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
I
C
=50mA, V
CE
=10V
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