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1N4150概述

high speed silicon switching diode

参数名称	属性值
厂商名称	Transys Electronics Limited
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.5 W
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向恢复时间	0.006 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

	1N4150
描述	high speed silicon switching diode
厂商名称	Transys Electronics Limited
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.5 W
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向恢复时间	0.006 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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