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HGT1S12N60C3

产品描述24a, 600v, ufs series N-channel igbts
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小131KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGT1S12N60C3概述

24a, 600v, ufs series N-channel igbts

HGT1S12N60C3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)24 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)275 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值104 W
最大功率耗散 (Abs)104 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)400 ns
标称断开时间 (toff)270 ns
标称接通时间 (ton)14 ns
VCEsat-Max2 V

HGT1S12N60C3相似产品对比

HGT1S12N60C3 HGTP12N60C3 HGT1S12N60C3S
描述 24a, 600v, ufs series N-channel igbts 24a, 600v, ufs series N-channel igbts 24a, 600v, ufs series N-channel igbts
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris Harris
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 24 A 24 A 24 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大降落时间(tf) 275 ns 275 ns 275 ns
门极发射器阈值电压最大值 6 V 6 V 6 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 104 W 104 W 104 W
最大功率耗散 (Abs) 104 W 104 W 104 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 400 ns 400 ns 400 ns
标称断开时间 (toff) 270 ns 270 ns 270 ns
标称接通时间 (ton) 14 ns 14 ns 14 ns
VCEsat-Max 2 V 2 V 2 V
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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