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MTP2603N6

产品描述P-channel enhancement mode power mosfet
文件大小231KB,共5页
制造商Cystech
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MTP2603N6概述

P-channel enhancement mode power mosfet

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CYStech Electronics Corp.
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Spec. No. : C394N6
Issued Date : 2007.12.28
Revised Date :
Page No. : 1/5
MTP2603N6
Description
The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best
combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.
The SOT-26 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
Simple drive requirement
Low on-resistance
Small package outline
Pb-free package
Equivalent Circuit
MTP2603N6
G:Gate
S:Source
D:Drain
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @T
A
=25
°C
Continuous Drain Current @T
A
=70
°C
Pulsed Drain Current
(Note 2, 3)
Symbol
V
DS
V
GS
(Note 1)
(Note 1)
Limits
-20
±12
-5
-4
-20
2
0.016
-55~+150
62.5
Unit
V
V
A
A
A
W
W /
°C
°C
°C/W
I
D
I
D
I
DM
Pd
Tj, Tstg
Rth,ja
Total Power Dissipation @ T
A
=25
°C
Linear Derating Factor
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
Note : 1.Surface mounted on 1 in² copper pad of FR-4 board. 156
/W when mounted on minimum copper pad.
2.Pulse width limited by maximum junction temperature.
3.Pulse Width
≤300μs,
Duty Cycle≤2%
MTP2603N6
CYStek Product Specification

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