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UF203

产品描述ultra fast recovery silicon rectifier
文件大小522KB,共3页
制造商DIOTECH
官网地址http://www.kdiode.com/
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UF203概述

ultra fast recovery silicon rectifier

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UF201 THRU UF207
YENYO
Ultra Fast Recovery Rectifier
Features
¬
Fast switching for high efficiency
¬
Low forward voltage drop
¬
High current capability
¬
Low reverse leakge current
¬
High surge current capability
Mechanical Data
¬
Case: Molded plastic DO-15
¬
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
¬
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208 guranteed
¬
Polarity:Color band denotes cathode
¬
Mounting position: Any
¬
Weight: 0.4 gram
Voltage Range 50 to 1000 V
Current 2.0 Ampere
DO-15
.034(.86)
.028(.71)
1.0(25.4)
MIN.
DIA.
.300(7.6)
.230(5.8)
.140(3.6)
1.0(25.4)
MIN.
.104(2.6)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
o
C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current T
L
=55
C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 2.0 A
Maximum DC Reverse Current @T
J
=25
C
At Rated DC Blocking Voltage @T
J
=100
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
o
o
o
UF
201
50
35
50
UF
202
100
70
100
UF
203
200
140
200
UF
204
400
280
400
2.0
UF
205
600
420
600
UF
206
800
560
800
UF
207
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
(AV)
I
FSM
60
A
V
F
I
R
Trr
C
J
R
JA
T
J
, T
STG
1.0
1.3
5.0
100
50
35
55
-55 to +125
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
75
CW
o
C
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, Irr = 0.25A.
(2) Thermal Resistance junction to lead.
(3) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
1/2
DAA57 , R0, MAR-04
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