G8341-02,G8341-02 pdf中文资料,G8341-02引脚图,G8341-02电路-Datasheet-电子工程世界

G8341-02: 产品描述ingaas pin photodiode with preamp; 产品类别无线/射频/通信光纤; 文件大小108KB，共2页; 制造商Hamamatsu; 官网地址http://www.hamamatsu.com

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G8341-02概述

ingaas pin photodiode with preamp

	G8341-02	G8338-02	G7871-02
描述	ingaas pin photodiode with preamp	ingaas pin photodiode with preamp	ingaas pin photodiode with preamp
厂商名称	Hamamatsu	Hamamatsu	Hamamatsu
包装说明	TO-18	TO-18	TO-18
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
主体高度	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm
主体长度或直径	4.65 mm	4.65 mm	4.65 mm
内置特性	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
通信标准	GBE, SDH	GBE, SDH	GBE, SDH
数据速率	622 Mbps	156 Mbps	1250 Mbps
发射极/检测器类型	PIN PHOTODIODE	PIN PHOTODIODE	PIN PHOTODIODE
光纤设备类型	RECEIVER	RECEIVER	RECEIVER
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大工作波长	1550 nm	1550 nm	1550 nm
最小工作波长	1300 nm	1300 nm	1300 nm
标称工作波长	1425 nm	1425 nm	1425 nm
封装形式	TO-18	TO-18	TO-18
表面贴装	NO	NO	NO
标称供电电压	3.3 V	3.3 V	-

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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