TRIAC
( ISOLATED TYPE )
TMG8C60F
UL;E76102 M）
（
TMG8C40/60F
are isolated mold triac suitable for wide range of applications like
copier, microwave oven, solid state switch, motor control, light and heater control.
8A
●
High surge capability 88A
●
Full molded isolated type
●
I
T RMS）
（
３．± ．
０ ０3
１ ．± ．
００ ０３
４５ ０２
．± ．
２８ ０２
．± ．
１ ．± ．
５０ ０３
３．± ． ８５ ０３
６ ０３ ．± ．
２６ ０２
．± ．
０７ ± ．
． ０１
５
５
Solder Dip
T1
G
１ ．± ．
４０ ０５
０７ ± ．
． ０１
５
５
１ ２ ３ ２５ ± ．
． ０２
４
５
５０ ± ．
． ０５
８
１T
．
１
2．
T
２
３ Gate
．
T2
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
Symbol
I
T RMS）
（
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
Item
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Tc＝89℃
Ratings
TMG8C40F
400
Conditions
One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive
TMG8C60F
600
Ratings
8
80
/
88
32
5
0.5
2
10
A.C.1 minute
1500
−40 to ＋125
−40 to ＋125
2
Unit
V
Unit
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
℃
℃
g
I
GM
V
GM
V
ISO
Tj
Tstg
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
Item
Reptitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise off-State
Voltage at commutation
Conditions
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝12A,
Inst. measurement
Ratings
Min.
Typ. Max.
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
―
1.5
0.2
10
15
Unit
mA
V
Gate Trigger Current
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
mA
V
GT1
V
GT3
−
V
GT3
＋
−
Gate Trigger Voltage
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
V
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−4A
/
ms，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
Junction to case
V
V
/
μs
mA
3.7
℃
/
W
Holding Current
Rth j-c） Thermal Impedance
（
3
TMG8C60F
２
１
１
０
Gate Characteristics
Peak Forward Gate Voltage
（10V）
１
２
０
Pe
ak
On-State Voltage
５
te
Po
On-State Current
（A）
Gate Voltage
（V）
Ga
５
２
Gate Distribution
10
0
Po
we
（０
r
．
5W
Peak Gate Current ２
（ A）
Av
er
ag
eG
ate
we
（
r
２
１
１
０
５
２
１
０
０
５
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ =１ ５
½ ２℃
5W
）
）
５
２
Maximum gate Voltage that will not trigger any unit
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
２
５
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
３０
．
３５
．
Gate Current
（mA）
On-State Voltage
（V）
９
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
2
８
７
６
５
４
３
２
１
０
０
１
２
３
360
。
θ９ ゜
＝０
: Conduction Angle
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
Allowable Case Temperature
（℃）
１
０
On State Current vs.
Maximum Power Dissipation
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
On State Current vs.
Allowable Case Temperature
Power Dissipation
（W）
θ３ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ９ ゜
＝０
2
９
０
０
０
360
。
θ１ ０
＝２゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝８゜
: Conduction Angle
４
５
６
７
８
９
１
０
１
２
３
４
５
６
７
８
９
１
０
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
１０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
３
０
Gate trigger voltage vs.
Junction temperature
Surge On-State Current
（A）
８
０
６
０
６ H
Z
０
Tj＝25℃ start
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
５
２
V
＋
GT１
1
＋
）
（
V
−
GT１
1
−
）
（
−
V
GT３
3
−
）
（
１
２
０
５
２
４
０
５ H
Z
０
２
０
０
１
０
０
２
５
１
１
０
２
５
１
２
０
１
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
Time
（cycles）
Transient Thermal Impedance
θ
（℃/W）
j-c
Junction Temp. Tj
（℃）
１
３
０
５
２
Gate trigger current vs.
Junction temperature
１
１
０
５
２
１
０
０
５
２
Transient Thermal Impedance
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（５
１
２
０
５
２
I
＋
GT１
1
＋
）
（
I
−
GT１
1
−
）
（
I
−
GT３
3
−
）
（
Junction to case
１
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
１
−１
０
１
−２
２
０
５ １
−１
２
０
Junction Temp. Tj
（℃）
Time
t
sec）
（
５ １
０
２
０
５ １
１
２
０
５ １
２
０
4
电源技术
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