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BCR116

产品描述npn silicon digital transistor (switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小488KB,共10页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BCR116概述

npn silicon digital transistor (switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

BCR116规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
VCEsat-Max0.3 V
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