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BCR135

产品描述npn silicon digital transistor (switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小492KB,共10页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BCR135概述

npn silicon digital transistor (switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

BCR135规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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BCR135.../SEMH9
NPN Silicon Digital Transistor
Switching circuit, inverter, interface circuit
driver circuit
Built in bias resistor (R
1
=10kΩ,
R
2
=47kΩ)
For 6-PIN packages: two (galvanic) internal
isolated transistors with good matching
in one package
BCR135/F/L3
BCR135T/W
C
3
BCR135S
SEMH9
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
Type
BCR135
BCR135F
BCR135L3
BCR135S
BCR135T
BCR135W
SEMH9
Marking
WJs
WJs
WJ
WJs
WJs
WJs
WJ
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Package
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666
1
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