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PTB20091

产品描述30 watts, 470-860 mhz uhf TV linear power transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小357KB,共2页
制造商Ericsson
官网地址http://www.ericsson.com
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PTB20091概述

30 watts, 470-860 mhz uhf TV linear power transistor

PTB20091规格参数

参数名称属性值
厂商名称Ericsson
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)6.7 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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e
PTB 20091
30 Watts, 470–860 MHz
UHF TV Linear Power Transistor
Description
The 20091 is an NPN, common emitter RF power transistor intended
for 25 Vdc class A operation from 470 to 860 MHz. It is rated at 30
watts P-sync output power. Ion implantation, nitride surface passivation
and gold metallization are used to ensure excellent device reliability.
100% lot traceability is standard.
•
•
•
•
•
30 Watts (P-Sync), 470–860 MHz
Class A Characteristics
Silicon Nitride Passivated
Gold Metallization
Excellent Linearity
Typical Gain vs. Frequency
15
(as measured in a broadband circuit)
13
Gain (dB)
200
91
LOT
11
COD
E
V
CC
= 25 V
9
I
C
= 4.5 A Total
Pout = 30 W(P-Sync)
500
600
700
800
900
7
400
Frequency (MHz)
Package 20212
Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage (collector open)
Collector Current (continuous)
Total Device Dissipation at Tflange = 25°C
Above 25°C derate by
Storage Temperature Range
Thermal Resistance (Tflange = 70°C)
T
STG
R
θJC
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Value
30
65
4.0
6.7
150
1.33
–40 to +150
.75
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
°C
°C/W
1
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