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MRF553

产品描述RF & microwave discrete low power transistors
文件大小140KB,共5页
制造商Advanced Power
官网地址http://advancedpower.ch/
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MRF553概述

RF & microwave discrete low power transistors

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF553
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
MRF553G
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
Features
Specified @ 12.5 V, 175 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 11.5 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
Power Macro
DESCRIPTION:
Designed primarily for wideband large signal stages in the VHF frequency range.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
16
36
4.0
500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75ºC
Derate above 75ºC
3.0
40
Watts
mW/ ºC
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
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