NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 303
SFH 303 FA
SFH 303
SFH 303 FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und von
730 nm bis 1100 nm (SFH 303 FA)
• Hohe Linearität
• 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse mit
Basisanschluss
• Auch gegurtet und gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 303
SFH 303-3/4
SFH 303 FA
SFH 303 FA-3/4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0957
Q62702P3588
Q62702P0958
Q62702P3587
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm (SFH 303) and from
730 nm to 1100 nm (SFH 303 FA)
• High linearity
• 5 mm LED plastic package with base
connection
• Also available on tape and reel and in groups
Applications
• Light-reflecting switches for steady and varying
intensity
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2007-04-02
1
SFH 303, SFH 303 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
35
70
50
100
7
200
375
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
V
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
V
CE
(
t
< 2 min)
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
2007-04-02
2
SFH 303, SFH 303 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CEO
= 10 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
SFH 303
λ
S max
λ
850
440
…
1100
Wert
Value
SFH 303 FA
870
730
…
1100
nm
nm
Einheit
Unit
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.20
0.65
×
0.65
±
20
0.20
0.65
×
0.65
±
20
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
–
15.8
4.5
–
μA
μA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
10
15
21
5 (≤ 50)
10
15
21
5 (≤ 50)
pF
pF
pF
nA
2007-04-02
3
SFH 303, SFH 303 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 303:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
1.0
…
2.0 1.6
…
3.2
≥
2.5
5.2
11
8.4
13
13.1
15
mA
mA
μs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCE
----------
-
I
PCB
330
530
830
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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4
SFH 303, SFH 303 FA
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 303
S
rel
=
f
(λ)
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 303 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
22
C
pF
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
C
CE
10
1
V 10
2
V
r
C
EB
OHF00291
C
CB
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
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