SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6
专用存储器电路, PDSO6
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | DALLAS |
包装说明 | SOT-223, 4 PIN |
Reach Compliance Code | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
内存密度 | 64 bi |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
字数 | 64 words |
字数代码 | 64 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64X1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
DS2405Y | DS2405T | DS2405V | |
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描述 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6 |
厂商名称 | DALLAS | DALLAS | DALLAS |
包装说明 | SOT-223, 4 PIN | TO-92, 3 PIN | TSOC-6 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | O-PBCY-T3 | R-PDSO-C6 |
内存密度 | 64 bi | 64 bi | 64 bi |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 3 | 6 |
字数 | 64 words | 64 words | 64 words |
字数代码 | 64 | 64 | 64 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 64X1 | 64X1 | 64X1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.8 V | 2.8 V | 2.8 V |
表面贴装 | YES | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | C BEND |
端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL |
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