NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPY 62
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschluss, geeignet bis 125
°C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPY 62
BPY 62-3
BPY 62-3/4
BPY 62-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215Y0062
Q60215Y1112
Q60215Y5198
Q60215Y1113
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
• High linearity
• Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
°C
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Fotostrom
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
> 0.5
0.8…1.6
0.8…2.5
1.25…2.5
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1
BPY 62
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 125
35
100
200
7
200
500
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
V
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
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Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 20 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
830
400
…
1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.11
0.5
×
0.5
±
8
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
5.5
17
μA
μA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
7.5
14
19
1 (≤ 50)
pF
pF
pF
nA
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3
BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
,
V
CE
= 5 V
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
Einheit
Unit
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
=5 V
1)
1)
0.5…1.0 0.8…1.6
2.4
3.8
5
7
1.25…2.5
5.8
9
≥
2.0
9.6
12
mA
mA
μs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
150
160
180
mV
I
PCE
--------
-
I
PCB
140
220
340
550
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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Relative Spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
%
90
S
re l
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500
600
700
800
900 1000 1100
nm
λ
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 20 V,
E
= 0
10000
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
nA
1000
I
CEO
100
10
1
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
T
A
°C
100
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5
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