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A43E26161G-95UF

产品描述1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram
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制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
标准
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A43E26161G-95UF概述

1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram

A43E26161G-95UF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明VFBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)105 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
长度8 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

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A43E26161
1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
Document Title
1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
Revision History
Rev. No.
0.0
1.0
History
Initial issue
Final version release
Issue Date
September 13, 2004
December 15, 2004
Remark
Preliminary
Final
(December, 2004, Version 1.0)
AMIC Technology, Corp.

A43E26161G-95UF相似产品对比

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描述 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram 1M X 16 bit X 4 banks low power synchronous dram
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] - AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明 VFBGA, BGA54,9X9,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 - TSOP2, TSOP54,.46,32 VFBGA, BGA54,9X9,32 VFBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown - unknown unknown unknown
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 7 ns 7 ns - 7 ns 7 ns 7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 105 MHz 105 MHz 105 MHz - 105 MHz 105 MHz 105 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 - 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 - R-PDSO-G54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54
长度 8 mm 22.22 mm 22.22 mm - 22.22 mm 8 mm 8 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit - 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM - SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 - 16 16 16
功能数量 1 1 1 - 1 1 1
端口数量 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 54 54 54 - 54 54 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words - 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 - 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C - 70 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - - - -40 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 - 4MX16 4MX16 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA TSOP2 TSOP2 - TSOP2 VFBGA VFBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 - TSOP54,.46,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 - 4096 4096 4096
座面最大高度 1 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1 mm 1 mm
自我刷新 YES YES YES - YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP - 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A - 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA - 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 1.95 V - 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES - YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL GULL WING GULL WING - GULL WING BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL - DUAL BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm 8 mm 8 mm
JESD-609代码 - - e0 - e0 e0 e0
端子面层 - - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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