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DS2016-100

产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24
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文件大小137KB,共9页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2016-100概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24

DS2016-100规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
包装说明0.600 INCH, DIP-24
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间100 ns
其他特性CAN ALSO BE OPERATED WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PDIP-T24
内存密度16384 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

DS2016-100相似产品对比

DS2016-100 DS2016 DS2016-150
描述 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24
厂商名称 DALLAS DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最长访问时间 100 ns 100 ns 150 ns
其他特性 CAN ALSO BE OPERATED WITH 5V SUPPLY DATA RETENTION VOLTAGE=5.5V TO 2.0V/TTL COMPATIBLE INPUT AND OUTPUT CAN ALSO BE OPERATED WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24
内存密度 16384 bi 16384 bi 16384 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2 V 2 V 2 V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
包装说明 0.600 INCH, DIP-24 - 0.600 INCH, DIP-24
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