W3H32M64E-667SBM,W3H32M64E-667SBM pdf中文资料,W3H32M64E-667SBM引脚图,W3H32M64E-667SBM电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> W3H32M64E-667SBM

W3H32M64E-667SBM: 产品描述DDR DRAM, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共24页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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W3H32M64E-667SBM概述

DDR DRAM, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208

W3H32M64E-667SBM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	208
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B208
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	208
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

W3H32M64E-667SBM相似产品对比

	W3H32M64E-667SBM	W3H32M64E-400SBC	W3H32M64E-533SBI	W3H32M64E-667SBC
描述	DDR DRAM, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	DDR DRAM, 32MX64, 0.6ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	DDR DRAM, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	DDR DRAM, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
包装说明	BGA,	BGA, BGA208,11X19,40	16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns	0.6 ns	0.65 ns	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	208	208	208	208
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA
针数	208	-	208	208

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