M3H280515T/EM,M3H280515T/EM pdf中文资料,M3H280515T/EM引脚图,M3H280515T/EM电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 电源/电源管理> 电源电路> M3H280515T/EM

M3H280515T/EM: 产品描述DC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 40W, Hybrid, HERMETIC SEALED PACKAGE-13; 产品类别电源/电源管理电源电路; 文件大小124KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

M3H280515T/EM概述

DC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 40W, Hybrid, HERMETIC SEALED PACKAGE-13

M3H280515T/EM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	, MODULE,13LEAD,3.2
针数	13
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	BETW +85 & +125 DEG, DERATE MAXM O/P PWR LINEARLY FR 100% TO 75%; ADDL -/+15V O/P AVAIL
模拟集成电路 - 其他类型	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE
最大输入电压	50 V
最小输入电压	18 V
标称输入电压	28 V
JESD-30 代码	R-XDFM-F13
JESD-609代码	e0
功能数量	1
输出次数	3
端子数量	13
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	4 A
最大输出电压	5.07 V
最小输出电压	4.93 V
标称输出电压	5 V
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	MODULE,13LEAD,3.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
技术	HYBRID
温度等级	OTHER
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
总剂量	60k Rad(Si) V
最大总功率输出	40 W
微调/可调输出	NO
Base Number Matches	1

M3H280515T/EM相似产品对比

	M3H280515T/EM	M3H280512TPBF	M3H280512T/EM
描述	DC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 40W, Hybrid, HERMETIC SEALED PACKAGE-13	DC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 40W, Hybrid, HERMETIC SEALED PACKAGE-13	DC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 40W, Hybrid, HERMETIC SEALED PACKAGE-13
是否无铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	, MODULE,13LEAD,3.2	,	, MODULE,13LEAD,3.2
针数	13	13	13
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BETW +85 & +125 DEG, DERATE MAXM O/P PWR LINEARLY FR 100% TO 75%; ADDL -/+15V O/P AVAIL	BETW +85 & +125 DEG, DERATE MAXM O/P PWR LINEARLY FR 100% TO 75%; ADDL -/+12V O/P AVAIL	BETW +85 & +125 DEG, DERATE MAXM O/P PWR LINEARLY FR 100% TO 75%; ADDL -/+12V O/P AVAIL
模拟集成电路 - 其他类型	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE
最大输入电压	50 V	50 V	50 V
最小输入电压	18 V	18 V	18 V
标称输入电压	28 V	28 V	28 V
JESD-30 代码	R-XDFM-F13	R-XDFM-F13	R-XDFM-F13
功能数量	1	1	1
输出次数	3	3	3
端子数量	13	13	13
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电压	5.07 V	5.07 V	5.07 V
最小输出电压	4.93 V	4.93 V	4.93 V
标称输出电压	5 V	5 V	5 V
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
技术	HYBRID	HYBRID	HYBRID
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
总剂量	60k Rad(Si) V	60k Rad(Si) V	60k Rad(Si) V
最大总功率输出	40 W	40 W	40 W
微调/可调输出	NO	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1
JESD-609代码	e0	-	e0
最大输出电流	4 A	-	4 A
封装等效代码	MODULE,13LEAD,3.2	-	MODULE,13LEAD,3.2
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
Is Samacsys	-	N	N

推荐资源

DDraw怎样获取显存大小？: 我用这个方法，但是好像获取的大小有问题，不知道这个方法是不是正确的方法，还没有更好的办法？DDCAPSddcaps;ddcaps.dwSize=sizeofDDCAPS;lpdd->GetCaps(&ddcaps,NULL);ddcaps.dwVidMemTotal;我还查到可以使用IDirectDraw7::GetAvailableVidMem获取显存大小，但是DirectDraw接口不知道怎么...; toshbia 嵌入式系统

wire型和reg型的一点小疑惑: 今天在看书时发现一点疑惑，问题大致是这样的：一个电路网络，要对其中一个2输入与门的输出（定义为tmp吧，其实此处并不存在端口或变量）进行一些赋值操作，。在Verilog编程中按说是应该把其定义为wire型变量，可是今天看的一个例子却定义成了reg型，当然在使用tmp是在always模块中，我也知道在always模块中需要赋值的变量应该定义为reg型，是不是此时对tmp定义为reg型也同样兼容了wi...; 似水如烟 FPGA/CPLD

内存扩容问题,急？？？: 128M扩到512M，我用的是uboot+NK.nb0，uboot已经改好ram初始化部分，没有开mmu，在uboot下测试512内存读写正常，wince改了config.bib中ram大小，oemtable也改了内存映射，但是现在内核跑到oeminit跑完就死了，不好调试。试着用oemgetextensiondram()，返回false。怎么办？？会不会因为eboot做了某些设置而我用uboot...; sen521abc 嵌入式系统

易电源试用二纳米模块试用及实际使用中与其他产品的比较优势(完成): [align=left][color=#000000]易电源试用二[font=Calibri] [/font]纳米模块试用及实际使用中与其他产品的比较[/color][/align][align=left][color=#000000]前面很多坛友已经把纳米模块的各种参数都测试过了，发的帖子也让我受益匪浅，我就不再复述了，我从我实际的项目中来比较一下纳米模块的优点吧，可能测试结果比较片面也可能不能...; fengzhang2002 模拟与混合信号

EEPROM单字节写的问题: 想问下 EEPROM 单字节写入和单字节读出要注意什么我总是读不出 EEPROM的数值...; liefC 51单片机

Protel.DXP.电路设计制版.100例: Protel.DXP.电路设计制版.100例...; hhy PCB设计

威尔森发布“智驱计划”，探索汽车大数据的智能决策

11月17日下午，中国领先的汽车数据决策服务商广州威尔森信息科技有限公司在广州富力丽思卡尔顿酒店隆重举办了“智能•革命”2017威尔森汽车数据智能峰会。会上，威尔森宣布“智驱计划”正式启动，并且围绕大数据与人工智能，以市场趋势预测、行业大数据洞察以及威尔森数据智能决策支持与在场来宾进行了一场专业的交流。本次峰会以“智能•革命”为主题。威尔森深信，大数据与人工智能的出现，对现代的商业社会产生着前...[详细]
2020年全球笔记本电脑出货量破2亿台大关

因为疫情爆发，全世界都发生了翻天覆地的改变，人们开始远程办公和线上接受教育。受此影响，2020 年全球笔记本电脑的出货量首次超过 2 亿台，年成长率也创下了 22.5%的新高。2021 年来临，新冠疫情依旧猖獗，各国都在陆续实施边境管制及封城，所以 TrendForce 集邦咨询预估，2021 年全球笔记本电脑的出货量仍将上涨，有望达到 2.17 亿台，年成长率为 8.6%。在 2020 ...[详细]
『共模半导体』推出20V/300mA低功耗低噪声LDO稳压器GM1207

『共模半导体』推出20V/300mA低功耗低噪声LDO稳压器GM1207，可替代ADI的ADP7118、LT1761，SGMICRO的SGM2211等系列产品 GM1207是一款CMOS、低压差（LDO）线性稳压器，采用 1.9V 至 20V 电源供电，最大输出电流为 300 mA。这款高输入电压 LDO 适用于调节 20V 至 1.2V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该器件采用先进的专有...[详细]
3.点亮第一盏LED灯

看懂原理图——编写驱动程序 LED模块：由图可知，LED阳极串联一个电阻（起到限流的作用），连接VCC，阴极连接P2口，点亮一盏LED需要对相应的IO赋予低电平（因为阳极VCC相当于高电平）给某个引脚取名： sbit 变量名=地址值（例如sbit led=P2^0，即为将P20口命名为led，而不能写成P2.0）程序： #include reg51.h sbit led...[详细]
ESO 10.3x38 – 集保险丝插拔工具和护盖于一体

随着ESO 10.3x38的推出，SCHURTER进一步扩大了应用于电路板的产品范围。ESO 10.3x38集保险丝插拔工具和护盖功能于一身，当与CSO保险丝夹和ASO 10.3x38保险丝一起使用时，可确保拥有最佳兼容性。电路板对紧凑型电子元器件的需求一直在增长，其中包括太阳能光伏应用领域。SCHURTER荣获专利的ESO 10.3x38电子元器件即可满足这些应用场合的要求。借助ESO 1...[详细]
美欲拓宽对我国出口限制，其中含飞机零部件和半导体设备

据悉，美国政府称为防止中国通过民用商业等途径获取美国半导体生产设备和其他先进技术，然后转为军用，将对向中国的出口施加新的限制，包括民用飞机零部件和半导体生产设备等，甚至要求外国企业向中国出口美制产品时必须获得美方同意。新规定将要求美国公司向军事实体出售某些物品（即使用于民用）必须获得许可，并且废除了某些美国技术及产品未经许可而出口至中国的例外条款。这些技术和产品包括集成电路、电信设备、雷达...[详细]
自动化时代是否还需要人机互动？

在过去的几年中，对于自动化如何改变工业运作的讨论变得越来越普遍。有些人可能会问：机器人是否会最终替代我们的工作，人类的劳动力又将会发生什么变化? 客观而言，人工智能(AI)型机器人的兴起的确为制造、运输和物流等行业带来了改进。例如，机器人能够在保持专注度的同时，执行单调乏味的、重复性的工作任务，并且没有出错的风险。它们还能接近人类不易触及的地方，并能够更准确地对库存进行评估和盘点。 ...[详细]
STM32F030_RTC详细配置说明

今天总结RTC(Real Time Clock)实时时钟相关的知识。在进行RTC的讲解前，我先对BKP进行一个简单的讲解。 STM32的RTC模块和时钟配置系统(RCC_BDCR寄存器)处于后备区域，即在系统复位或从待机模式唤醒后， RTC的设置和时间维持不变。 STM32F0的RTC模块和F3的RTC模块最大区别在于F0模块中有“DATE”和“TIME”寄存器，也就是可以直接读取寄存器里面的值...[详细]
这项技术量产之后你的手机价格能减半

OLED、QLED量子点、Micro LED......随着相关技术的产品不断推出，关于下一代显示技术的竞争已经进入了白热化的阶段，从目前来看，显然是占尽了天时地利人和的OLED技术要略胜一筹，已经在全尺寸领域内实现规模量产，发展势头良好。我们都知道目前OLED技术产能都几乎攥在了韩系面板厂商的手中，在供应了韩系自家的品牌和苹果的大单之外，难以支持更多的其他品牌的新产品，因此大家也在计划寻求其...[详细]
西门子推自动驾驶硅前验证程序加速自动驾驶汽车研发

（图片来源：西门子官网）据外媒报道，当地时间5月15日，西门子（Siemens）宣布推出PAVE360™自动驾驶硅前验证环境（pre-silicon autonomous validation environment），该程序旨在支持和促进创新自动驾驶汽车平台的研发。PAVE360为下一代汽车芯片的研发提供了一个跨汽车生态系统、多供应商协作的综合环境，使数字化双胞胎（digital ...[详细]
美运营商支招5G手机怎样省电：关闭5G网络换LTE

5G手机耗电这个事情，很多厂商也都在积极的跟进，而有运营商已经给出了一种可以解决的“方案”，着实让人有些凌乱。据外媒报道，尽管Verizon支持部门一直在大力推广5G手机并耗费450多亿美元竞标一个更快的新频段，但该公司现在还是在Twitter上建议人们关闭手机的5G接入以保持电池寿命。 Verizon的支持人员在周日早上的一条推文中给出建议，如果用户发现自己手机的电池耗电比正常更快，...[详细]
华虹半导体首季多赚56.2% 股价现涨6.81%

据智通财经了解，华虹半导为中国最大的200mm(8寸)晶圆生产商之一、世界第二大纯8寸晶圆代工厂，专注于研发及制造专业应用的8寸晶圆半导体。公司生产的半导体可被植入不同产品，拥有包括嵌入式NVM、分立器件、模拟及电源管理、逻辑及射频，及独立NVM技术五大技术平台，在上海设有三家晶圆厂。 5月11日，华虹半导体公布2017年第一季度业绩。其中，华虹半导体实现销售收入1.832 亿美元，环比减少5....[详细]
电位器 ADC stm32f10x开发

1、电位器 2、模块线的连接注意：一定接 3.3 v ,不然会烧坏单片机的ADC 3、程序开发程序链接： https://download.csdn.net/download/qq_37788383/11887697 #include adc.h #include sys.h #include delay.h #include usart.h /*******...[详细]
五步轻松设计出电容式触摸传感器（2）:布局设计和智能手机应用实例

在本系列文章的第1部分中，我们不仅探讨了机械按键用户界面与电容式触摸传感器用户界面的差异，而且还讨论了步骤1(设备的外观与质感)以及步骤2中的原理图设计部分。第2部分，我们将介绍将机械按键替换成电容式感应按键时所需的设计布局。此外，我们还将举一个应用实例。步骤2：布局：对于电容式传感器设计方案而言，布局非常重要，因为传感器很容易受外部噪声影响。每个布局都必须针对特定应用创建，因此布局辅助...[详细]
现代汽车最新发布高效氢燃料电池概念车INITIUM

10月31日，现代汽车发布全新氢燃料电池概念车INITIUM。该车配备大容量氢燃料电池系统，最大输出功率150千瓦，续航里程超650公里。基于INITIUM概念车，现代汽车将于2025年上半年推出全新的量产氢燃料电池车。INITIUM概念车作为凝聚了现代汽车27年来在氢能技术领域的发展成果，充分体现了现代汽车对实现可持续发展氢能社会的坚定承诺。随着这款氢燃料电池SUV概念车型的发...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多