1KAB60E概述

1.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

1KAB60E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	R-PDIP-W4
针数	3
制造商包装代码	D-38
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
其他特性	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PDIP-W4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	52 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	1.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	0.00001 µA
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

	1KAB60E	1KAB-E	1KAB100E	1KAB10E	E5CS-QTU-W	E5CS-R1GDU-W	E5CS-R1GU-W
描述	1.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	Temperature Controllers	Temperature Controllers	Temperature Controllers

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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