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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N720A
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JAN2N720A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小322KB，共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JAN2N720A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JAN2N720A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time24 weeks
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-18
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/182
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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2N720A
Silicon NPN Transistor
Data Sheet
Description
Semicoa Semiconductors offers:
•
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
•
JAN level (2N720AJ)
•
JANTX level (2N720AJX)
•
JANTXV level (2N720AJV)
•
QCI to the applicable level
•
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV
•
Radiation testing (total dose) upon request
Applications
•
General purpose
•
Low power
•
NPN silicon transistor
Features
•
•
•
•
Hermetically sealed TO-18 metal can
Also available in chip configuration
Chip geometry 4500
Reference document:
MIL-PRF-19500/182
Benefits
Please contact Semicoa for special configurations
www.SEMICOA.com or (714) 979-1900
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25
O
C
Derate linearly above 37.5
O
C
Power Dissipation, T
C
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal Resistance
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
J
T
STG
•
Qualification Levels: JAN, JANTX,
JANTXV
•
Radiation testing available
T
C
= 25°C unless otherwise specified
Rating
80
120
7
500
0.5
3.08
1.8
10.3
-65 to +200
325
Unit
Volts
Volts
Volts
mA
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
°C/W
R
θJA
Copyright 2002
Rev. F
Semicoa Semiconductors, Inc.
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
Page 1 of 2
www.SEMICOA.com

JAN2N720A相似产品对比

JAN2N720A JANTX2N720A JANTXV2N720A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
零件包装代码 BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-18 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/182 MIL-19500/182 MIL-19500/182
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1

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