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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28F010HI-12
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CAT28F010HI-12

产品描述128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32
产品类别存储    存储   
文件大小116KB，共16页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT28F010HI-12概述

128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32

CAT28F010HI-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TSOP
包装说明8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1

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CAT28F010
Licensed Intel
1 Megabit CMOS Flash Memory
second source
FEATURES
s
Fast read access time: 90/120 ns
s
Low power CMOS dissipation:
s
Commercial, industrial and automotive
temperature ranges
s
On-chip address and data latches
s
JEDEC standard pinouts:
–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)
–Standby: 1 mA max (TTL levels)
–Standby: 100
µ
A max (CMOS levels)
s
High speed programming:
–10
µ
s per byte
–2 Sec Typ Chip Program
–32-pin DIP
–32-pin PLCC
–32-pin TSOP (8 x 20)
s
100,000 program/erase cycles
s
10 year data retention
s
Electronic signature
s
0.5 seconds typical chip-erase
s
12.0V
±
5% programming and erase voltage
s
Stop timer for program/erase
DESCRIPTION
The CAT28F010 is a high speed 128K x 8-bit electrically
erasable and reprogrammable Flash memory ideally
suited for applications requiring in-system or after-sale
code updates. Electrical erasure of the full memory
contents is achieved typically within 0.5 second.
It is pin and Read timing compatible with standard
EPROM and EEPROM devices. Programming and
Erase are performed through an operation and verify
algorithm. The instructions are input via the I/O bus,
using a two write cycle scheme. Address and Data are
latched to free the I/O bus and address bus during the
write operation.
The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s
advanced CMOS floating gate technology. It is designed
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data
retention of 10 years. The device is available in JEDEC
approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin
TSOP packages.
I/O0–I/O7
BLOCK DIAGRAM
I/O BUFFERS
ERASE VOLTAGE
SWITCH
WE
COMMAND
REGISTER
PROGRAM VOLTAGE
SWITCH
CE, OE LOGIC
DATA
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
ADDRESS LATCH
Y-GATING
Y-DECODER
1,048,576 BIT
MEMORY
ARRAY
A0–A16
X-DECODER
VOLTAGE VERIFY
SWITCH
© 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. MD-1019, Rev. G

CAT28F010HI-12相似产品对比

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描述 128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32 IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM 128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TSOP QFJ DIP DIP QFJ TSOP TSOP
包装说明 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown compliant compliant
最长访问时间 120 ns 120 ns 120 ns 90 ns 90 ns 90 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 18.4 mm 13.97 mm 42.03 mm 42.03 mm 13.97 mm 18.4 mm 18.4 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 QCCJ DIP DIP QCCJ TSOP1-R TSOP1-R
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.55 mm 5.08 mm 5.08 mm 3.55 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN TIN TIN TIN TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL
宽度 8 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 11.43 mm 8 mm 8 mm
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
命令用户界面 YES YES - - YES YES YES
数据轮询 NO NO - - NO NO NO
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles - - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
封装等效代码 TSSOP32,.8,20 LDCC32,.5X.6 - - LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20
电源 5 V 5 V - - 5 V 5 V 5 V
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A - - 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA - - 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
切换位 NO NO - - NO NO NO
类型 NOR TYPE NOR TYPE - - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -

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