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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JAN1N3611
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JAN1N3611

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB，共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JAN1N3611概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN

JAN1N3611规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-204
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度300 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-PRF-19500/228
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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JAN and JANTX 1N3611 thru 1N3614 and 1N3957
Patented*
Vishay Semiconductors
formerly
Reverse Voltage
200 to 1000V
Forward Current
1.0A
Glass Passivated Rectifiers
MIL
DO-204AL (EG1)
I
TA
RY
Q
UA
LI
FI
ED
1.0 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA.
Features
•
Qualified to MIL-PRF-19500/228
• Class 1 high temperature metallurgically bonded con-
struction brazed > 600°C
• 1.0 ampere operation at T
A
= 55°C with no thermal runaway
• Typical I
R
less than 0.1µA
• Cavity-free, glass passivated junction. In epoxy over her-
metic glass
• High temperature soldering guaranteed: 350°C/10 seconds,
0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
Dimensions
in inches and
(millimeters)
®
1.0 (25.4)
MIN.
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
Mechanical Data
Case:
DO-204AL, molded epoxy over glass body (EG1)
Terminals:
Solder plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.015oz., 0.4g
Flammability:
Epoxy is rated UL 94V-0.
* Glass-plastic encapsulation technique is covered by Patent No. 3,996,602
and brazed-lead assembly by Patent No. 3,930,306
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Prefix J = JAN Quality Level; Prefix JX = JANTX Quality Level
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375” (9.5mm) lead length at T
A
= 55°C
Peak forward surge current 10 surges of 8.3ms each at
1 min. intervals super-imposed on I
O
= 750mA DC;
V
R
= rated V
RRM
T
A
= 100°C (per MIL-STD-750 m 4066)
Typical thermal resistance
(1)
Operating junction and storage temperature range
Barometric Pressure
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJL
R
θJA
T
J
, T
STG
Hg
J,JX 1N3611 J,JX 1N3612 J,JX 1N3613 J,JX 1N3614 J,JX 1N3957
Unit
V
V
V
A
A
°C/W
°C
200
140
200
400
280
400
600
420
600
1.0
30
38
45
–65 to +175
800
560
800
1000
700
1000
8
54
87
mm
Electrical Characteristics
Maximum instantaneous
forward voltage Tp = 300µs
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical reverse recovery time at
I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Minimum reverse breakdown voltage at 50µA
at 1.0A, T
A
= 25°C
at 3.0A, T
A
= 25°C
at 1.0A, T
A
= –65°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
V
BR
V
F
I
R
t
rr
C
J
220
440
660
1.1
1.3
1.5
1
300
2.0
8.0
880
1100
V
V
µA
µs
pF
Typical junction capacitance at 4V, 1MHz
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
Document Number 88651
5-Mar-02
www.vishay.com
1

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描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 DO-204AL DO-204AL DO-204AL DO-204AL DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 300 °C 200 °C 300 °C 300 °C 200 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-PRF-19500/228 MIL-PRF-19500/228 MIL-PRF-19500/228 MIL-PRF-19500/228 MIL-19500/228J
最大重复峰值反向电压 200 V 1000 V 400 V 800 V 1000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
零件包装代码 DO-204 DO-204 DO-204 DO-204 -
针数 2 2 2 2 -
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED -
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs -
Base Number Matches 1 1 1 1 -
厂商名称 - - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)

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