电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3.0SMCJ20A-T3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共6页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
下载文档 详细参数 全文预览

3.0SMCJ20A-T3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ20A-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压24.5 V
最小击穿电压22.2 V
击穿电压标称值23.85 V
最大钳位电压32.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
WTE
POWER SEMICONDUCTORS
3.0SMCJ SERIES
Pb
3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Glass Passivated Die Construction
3000W Peak Pulse Power Dissipation
5.0V – 170V Standoff Voltage
Uni- and Bi-Directional Versions Available
Excellent Clamping Capability
Fast Response Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
E
G
Mechanical Data
Case: SMC/DO-214AB, Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional
Marking: Device Code
Weight: 0.21 grams (approx.)
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6
SMC/DO-214AB
Dim
Min
Max
A
5.59
6.22
B
6.60
7.11
C
2.75
3.25
D
0.152
0.305
E
7.75
8.13
F
2.00
2.62
G
0.051
0.203
H
0.76
1.27
All Dimensions in mm
“C” Suffix Designates Bi-directional Devices
“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices
No Suffix Designates 10% Tolerance Devices
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
T
j
, T
STG
Value
3000 Minimum
See Table 1
200
25
-55 to +150
Unit
W
A
A
°C/W
°C
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 4 and derated above T
A
= 25°C per Figure 1.
2. Mounted on 8.0mm
2
(0.013mm thick) copper pad to each terminal.
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
3.0SMCJ SERIES
1 of 6
© 2006 Won-Top Electronics
解析清华同方RFID设备巡检管理系统
清华同方推出自主研发的RFID设备巡检管理系统,很好的解决了传统设备巡视方式的弊端,能有效提高设备及线路运行安全性。广泛适用于电力、电信、石化、部队等设备巡查行业。   对于处于长期运 ......
JasonYoo 无线连接
AT89C2051中文资料
大家共享!...
maker 51单片机
stm32f769 寄存器配置SD卡--打印SD卡信息
书接上文,见链接 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-619420-1-1.html 实现了SD卡的驱动,程序运行正常,但是不知道是否真的连接上SD卡了,于是把f767的打印SD卡信息的代码复制过来 //通过 ......
star_66666 stm32/stm8
【电学人必看】3分钟,带你揭秘常用电学计量单位的『前世今生』!
【电学人必看】3分钟,带你揭秘常用电学计量单位的『前世今生』! ...
aigtekatdz 测试/测量
快速充电路开发
摘要:用PIC16C74单片机实现对电池组的快速充电,并对3个快速充电方案进行了比较。 关键词:单片机 快速充电 电池组 随着对便携产品需求的增加,充电电池的应用也越来越广,有许多家公司生产了 ......
yang537 电源技术
【宝宝秀】EEWORLD超级baby大团圆(已颁奖)
颁奖链接:https://bbs.eeworld.com.cn/thread-367045-1-1.html 宝宝年年有,今年特别多:) 很多坛子里的朋友在这一年当中都有了自己的小宝宝,快乐的心情在荡漾,EEWORLD也体味着这种喜悦。 ......
EEWORLD社区 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1693  341  2323  91  115  23  42  55  38  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved