Standard SRAM, 1KX4, 70ns, NMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCN, LCC18,.3X.35 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC18,.3X.35 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大压摆率 | 0.125 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.4295 mm |
Base Number Matches | 1 |