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5082-2824

产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 1500ohm Z(V) Max, Silicon, 01, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2824概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 1500ohm Z(V) Max, Silicon, 01, 2 PIN

5082-2824规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
最大阻抗1500 Ω
最小阻抗1200 Ω
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大工作频率15 GHz
最小工作频率1 GHz
最高工作温度200 °C
最低工作温度-60 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
最小正切信号灵敏度56 dBm
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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5082-2824
SCHOTTKY BARRIER DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2824
is a Silicon Small
Signal Schottky Diode Designed for
UHF/VHF Mixers, and Video Detector
Applications. Color Band Indicates
Cathode. RF Parameters are Sample
Tested.
PACKAGE STYLE 01
MAXIMUM RATINGS
I
V
P
DISS
T
J
T
STG
T
SOLD
10 mA
15 V
250 mW @ T
A
= 25 °C
-60 °C to +200 °C
-60 °C to +200 °C
t = 5.0 Sec. +260 °C
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
R
C
J0
T
SS
R
V
γ
I
R
= 10
µA
V
R
= 0 V
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
15
f = 1.0 MHz
TYPICAL MAXIMUM
UNITS
V
1.0
-56
1.2
6.0
1.8
pF
dBm
KΩ
mV/µW
µ
f = 10 GHz
P = -40 dBm
P = -40 dBm
R
L
= 100 KΩ
R
L
= 100 KΩ
f = 10 GHz
f = 10 GHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without
ti
REV. A
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