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MSR820AJC288-12

产品描述1T-SRAM 存储器 IC 576Mb(8M x 72) 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA(19x19)
产品类别半导体    存储器   
制造商MoSys Inc
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MSR820AJC288-12概述

1T-SRAM 存储器 IC 576Mb(8M x 72) 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA(19x19)

MSR820AJC288-12规格参数

参数名称属性值
类别
MoSys, Inc.
托盘
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术1T-SRAM
存储容量576Mb(8M x 72)
存储器接口并联
时钟频率1.25 GHz
访问时间2.6 ns
电压 - 供电0.95V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装型
封装/外壳324-BGA
供应商器件封装324-PBGA(19x19)
MSR820

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