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CDLL980B/TR

产品描述二极管 - 齐纳 62 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共2页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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CDLL980B/TR概述

二极管 - 齐纳 62 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AB

CDLL980B/TR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装卷带(TR)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)62 V
容差±5%
功率 - 最大值500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)185 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 47 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 200 mA
工作温度-65°C ~ 175°C
安装类型表面贴装型
封装/外壳DO-213AB,MELF
供应商器件封装DO-213AB

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• 1N962BUR-1 thru 1N986BUR-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/117
• ZENER DIODES
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• METALLURGICALLY BONDED
1N962BUR-1 thru 1N986BUR-1
and
CDLL957B thru CDLL986B
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC = +125°C
Power Derating: 10 mW / °C above TEC = +125°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
CDI
TYPE
NUMBER
(NOTE 1)
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ
(NOTE 2)
VOLTS
CDLL957B
CDLL958B
CDLL959B
CDLL960B
CDLL961B
CDLL962B
CDLL963B
CDLL964B
CDLL965B
CDLL966B
CDLL967B
CDLL968B
CDLL969B
CDLL970B
CDLL971B
CDLL972B
CDLL973B
CDLL974B
CDLL975B
CDLL976B
CDLL977B
CDLL978B
CDLL979B
CDLL980B
CDLL981B
CDLL982B
CDLL983B
CDLL984B
CDLL985B
CDLL986B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
ZENER
TEST
CURRENT
l ZT
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
(NOTE 3)
ZZT @ l ZT
OHMS
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
90
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
ZZK @ l ZK
OHMS
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
MAX. DC
ZENER
CURRENT
l ZM
MAX. REVERSE
LEAKAGE CURRENT
lR @ VR
µ
A
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
VOLTS
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
DIM
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
INCHES
MIN MAX MIN MAX
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF.
.100 REF.
0.03 MIN.
.001 MIN.
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
100
°
C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
JX): 35
°
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
NOTE 1
Zener voltage tolerance on "B" suffix is + 5%. Suffix letter “A” denotes + 10%. No
Suffix denotes + 20%. "C" suffix denotes + 2%, and "D" suffix denotes + 1%.
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient
temperature of 25°C + 3°C.
Zener impedance is derived by superimposing on 1ZT A 60Hz rms a.c. current equal
to 10% of 1ZT.
NOTE 2
NOTE 3
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
103
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