电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3.0SMCJ8.5-T3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共6页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
下载文档 详细参数 全文预览

3.0SMCJ8.5-T3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ8.5-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压11.5 V
最小击穿电压9.44 V
击穿电压标称值10.68 V
最大钳位电压15.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压8.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
WTE
POWER SEMICONDUCTORS
3.0SMCJ SERIES
Pb
3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Glass Passivated Die Construction
3000W Peak Pulse Power Dissipation
5.0V – 170V Standoff Voltage
Uni- and Bi-Directional Versions Available
Excellent Clamping Capability
Fast Response Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
E
G
Mechanical Data
Case: SMC/DO-214AB, Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional
Marking: Device Code
Weight: 0.21 grams (approx.)
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6
SMC/DO-214AB
Dim
Min
Max
A
5.59
6.22
B
6.60
7.11
C
2.75
3.25
D
0.152
0.305
E
7.75
8.13
F
2.00
2.62
G
0.051
0.203
H
0.76
1.27
All Dimensions in mm
“C” Suffix Designates Bi-directional Devices
“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices
No Suffix Designates 10% Tolerance Devices
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
T
j
, T
STG
Value
3000 Minimum
See Table 1
200
25
-55 to +150
Unit
W
A
A
°C/W
°C
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 4 and derated above T
A
= 25°C per Figure 1.
2. Mounted on 8.0mm
2
(0.013mm thick) copper pad to each terminal.
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
3.0SMCJ SERIES
1 of 6
© 2006 Won-Top Electronics
如何彻底读懂并理解MOSFET的规格书
MOSEFT在电源中的重要性不必多言,同样对MOSEFT的各种参数的理解和应用在电源设计中也是十分重要。 那么 如何读懂并理解MOSFET的Datasheet 呢? 各位电源工程师们,都来说说你在平常设 ......
okhxyyo 电源技术
跪求英俄、法德、阿拉伯文、日语字库!!!
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 ...
yidianyisi 消费电子
EEWORLD大学堂----高速PCB设计之规则设计以及技巧解析
高速PCB设计之规则设计以及技巧解析:https://training.eeworld.com.cn/course/6004【课程背景】: 什么是规则?各类器件到器件应该控制多少?走线的间距应该控制多少?铺铜的间距应该控制多少 ......
F凡亿教育 嵌入式系统
WINCE系统下网络速度
各位英雄: 假定开发平台是PXA270+WINCE5.0,请问一般情况下,类似的嵌入式平台的百兆网络速度能够达到的实际传输速度为多少呢?如何测试呢?有什么测试工具吗?就像在PC上一样。 ......
AVR_AFA 嵌入式系统
对open82977352 版主提出表扬!
全国大学生电子设计大赛已过,竞赛版块自然“荒凉了不少”,但是open82977352版主还在坚守岗位,在竞赛版块默默地努力工作着。 附上证据: 32887 小娜非常感动,号召各位版主多多向open8 ......
小娜 聊聊、笑笑、闹闹
EDA课设中的一个难点
我的课设题目是电动拉门,其中开门需要59个脉冲,前三个脉冲间隔100ms、60ms、30ms,然后是51个20ms间隔,后五个脉冲间隔是30、60、 100、200、400,单位同为ms。然后关门也是59个脉冲,前三个 ......
谷溪玄牝 FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 551  2280  118  706  526  14  17  38  45  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved