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FS30ASJ-2-T1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FS30ASJ-2-T1概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FS30ASJ-2-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.091 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FS30ASJ-2-T1相似产品对比

FS30ASJ-2-T1 FS30ASJ-2-T2
描述 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.091 Ω 0.091 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A 120 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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