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MX30KPA51AE3TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小138KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MX30KPA51AE3TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MX30KPA51AE3TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压57 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.61 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压51 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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