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CBR1U-D020S TIN/LEAD

产品描述桥式整流器 Single Phase 标准 200 V 表面贴装型 4-SMDIP
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小551KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CBR1U-D020S TIN/LEAD概述

桥式整流器 Single Phase 标准 200 V 表面贴装型 4-SMDIP

CBR1U-D020S TIN/LEAD规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Central Semiconductor
包装管件
二极管类型Single Phase
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)200 V
电流 - 平均整流 (Io)1 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.05 V @ 1 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 µA @ 200 V
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳4-SMD,鸥翼
供应商器件封装4-SMDIP
基本产品编号CBR1U-D020

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CBR1U-D010S
CBR1U-D020S
SURFACE MOUNT
1 AMP ULTRA FAST
SILICON BRIDGE RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1U-D010S,
CBR1U-D020S types are silicon full wave ultra fast
bridge rectifiers mounted in a durable epoxy surface
mount molded case, utilizing glass passivated chips.
MARKING: FULL PART NUMBER
SMDIP CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=40°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ, Tstg
Θ
JA
-65 to +150
40
°C
°C/W
SYMBOL
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
CBR1U-D010S
100
100
70
1.0
50
CBR1U-D020S
200
200
140
UNITS
V
V
V
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
IR
VF
trr
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=125°C
IF=1.0A
IF=500mA, IR=1.0A, Irr=250mA
MAX
5.0
1.0
1.05
50
UNITS
µA
mA
V
ns
R3 (4-January 2010)

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