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BAV21TR

产品描述0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小719KB,共5页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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BAV21TR概述

0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAV21TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BAV21TR相似产品对比

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描述 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压 250 V 120 V 200 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 MATTE TIN NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1
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