HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT AND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 22 ns |
| 传播延迟（tpd） | 22 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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