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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BCX51-16TR13
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BCX51-16TR13

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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BCX51-16TR13概述

Transistor

BCX51-16TR13规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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BCX51
BCX52
BCX53
SURFACE MOUNT
PNP SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51,
BCX52, and BCX53 types are PNP Silicon
Transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for high current general
purpose amplifier applications.
MARKING CODE: PLEASE SEE MARKING
CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE
BCX51
45
45
BCX52
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.2
-65 to +150
104
BCX53
100
80
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
°C/W
SOT-89 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB=30V, TA=125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=100µA (BCX51)
45
BVCBO
IC=100µA (BCX52)
60
BVCBO
IC=100µA (BCX53)
100
BVCEO
IC=10mA (BCX51)
45
BVCEO
IC=10mA (BCX52)
60
BVCEO
IC=10mA (BCX53)
80
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
VBE(ON)
VCE=2.0V, IB=500mA
hFE
VCE=2.0V, IC=5.0mA
63
hFE
VCE=2.0V, IC=150mA
63
hFE
VCE=2.0V, IC=150mA
(BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10)
63
hFE
VCE=2.0V, IC=150mA
(BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16)
100
hFE
VCE=2.0V, IC=500mA
40
fT
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
TYP
MAX
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz
R3 (20-May 2004)

BCX51-16TR13相似产品对比

BCX51-16TR13 BCX51BK BCX51-10TR13 BCX52-16TR13 BCX52-10TR13
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.2 W 1.2 W 1.2 W 1.2 W 1.2 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor -

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