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71258L35E

产品描述Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDFP24
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文件大小360KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71258L35E概述

Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDFP24

71258L35E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明DFP, FL24,.4
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量24
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DFP
封装等效代码FL24,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间6
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