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GP1600FSS12-ABC

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 2100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共11页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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GP1600FSS12-ABC概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 2100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

GP1600FSS12-ABC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2100 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量1
端子数量7
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1900 ns
标称接通时间 (ton)1750 ns
Base Number Matches1

 
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