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AT25160B-MAPDGV-E

产品描述EEPROM 存储器 IC 16Kb(2K x 8) SPI 5 MHz 8-UDFN(2x3)
产品类别半导体    存储器   
文件大小879KB,共38页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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AT25160B-MAPDGV-E概述

EEPROM 存储器 IC 16Kb(2K x 8) SPI 5 MHz 8-UDFN(2x3)

AT25160B-MAPDGV-E规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Microchip(微芯科技)
系列Automotive, AEC-Q100
包装卷带(TR)
存储器类型非易失
存储器格式EEPROM
技术EEPROM
存储容量16Kb(2K x 8)
存储器接口SPI
时钟频率5 MHz
写周期时间 - 字,页5ms
电压 - 供电2.5V ~ 5.5V
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-UDFN(2x3)
基本产品编号AT25160

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AT25080B/AT25160B/
AT25320B/AT25640B
SPI Automotive Temperature Serial EEPROM
8 Kbits (1,024 x 8), 16 Kbits (2,048 x 8),
32 Kbits (4,096 x 8) and 64 Kbits (8,192 x 8)
Features
Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible
Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1):
– Data sheet describes mode 0 operation
Low-Voltage and Medium-Voltage Operation:
– Grade 1, V
CC
= 2.5V to 5.5V
– Grade 3, V
CC
= 1.7V to 5.5V
Extended Temperature Range (Grade 1 and Grade 3 as defined in AEC-Q100):
– Grade 1 Temperature Range: -40°C to +125°C
– Grade 3 Temperature Range: -40°C to +85°C
5 MHz Clock Rate (5V)
32‑Byte Page Mode
Block Write Protection:
– Protect 1/4, 1/2 or entire array
Write-Protect (WP) Pin and Write Disable Instructions for Both Hardware and Software Data Protection
Self-Timed Write Cycle within 5 ms Maximum
Automotive AEC-Q100 Qualified
High Reliability:
– Endurance: 1,000,000 write cycles
– Data retention: 100 years
Green (Lead-free/Halide-free/RoHS Compliant) Package Options
Packages
8-Lead SOIC, 8-Lead TSSOP and 8-Pad UDFN
©
2020 Microchip Technology Inc.
DS20006310A-page 1

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