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G3R20MT12K

产品描述通孔 N 通道 1200 V 128A(Tc) 542W(Tc) TO-247-4
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商GeneSiC Semiconductor
标准
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G3R20MT12K概述

通孔 N 通道 1200 V 128A(Tc) 542W(Tc) TO-247-4

G3R20MT12K规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称GeneSiC Semiconductor
系列G3R™
包装管件
FET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)128A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.69V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)219 nC @ 15 V
Vgs(最大值)±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5873 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)542W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4
封装/外壳TO-247-4
基本产品编号G3R20
都来讨论下F题,红外中继转发的实现!
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:21 编辑 直接连? 接运放转? 接三极管? 都是怎么实现的低电流呢? ...
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