表面贴装型 N 通道 1200 V 96A（Tc） 459W（Tc） TO-263-7
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | G3R™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 96A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 50A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.69V @ 12mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 155 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3901 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 459W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 基本产品编号 | G3R30 |
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