表面贴装型 N 通道 1700 V 3A（Tc） 54W（Tc） TO-263-7
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | G2R™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2mA |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 139 pF @ 1000 V |
| 功率耗散（最大值） | 54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 基本产品编号 | G2R1000 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
