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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> G2R120MT33J
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G2R120MT33J

产品描述表面贴装型 N 通道 3300 V 35A - TO-263-7
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商GeneSiC Semiconductor
标准
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G2R120MT33J在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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G2R120MT33J概述

表面贴装型 N 通道 3300 V 35A - TO-263-7

G2R120MT33J规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称GeneSiC Semiconductor
系列G2R™
包装管件
FET 类型N 通道
技术SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）156 毫欧 @ 20A，20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）145 nC @ 20 V
Vgs（最大值）+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3706 pF @ 1000 V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-263-7
封装/外壳TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号G2R120

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