通孔 N 通道 1200 V 71A（Tc） 333W（Tc） TO-247-4
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| GeneSiC Semiconductor | |
| G3R™ | |
| 管件 | |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 71A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 48 毫欧 @ 35A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.69V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 106 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2929 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 333W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-4 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
| G3R40 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
