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FS650R08A4P2BPSA1

产品描述IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 375 A 20 mW 底座安装 AG-HYBDC6I-1
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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FS650R08A4P2BPSA1在线购买

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FS650R08A4P2BPSA1概述

IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 375 A 20 mW 底座安装 AG-HYBDC6I-1

FS650R08A4P2BPSA1规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Infineon(英飞凌)
系列HybridPACK™
包装托盘
IGBT 类型沟槽型场截止
配置三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)750 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)375 A
功率 - 最大值20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)1.35V @ 15V,375A
电流 - 集电极截止(最大值)1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)65 nF @ 50 V
输入标准
NTC 热敏电阻
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装AG-HYBDC6I-1
基本产品编号FS650R08
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