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47L64-I/SN

产品描述EEPROM,SRAM 存储器 IC 64Kb I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
产品类别半导体    存储器   
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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47L64-I/SN概述

EEPROM,SRAM 存储器 IC 64Kb I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC

47L64-I/SN规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装管件
存储器类型非易失
存储器格式EERAM
技术EEPROM,SRAM
存储容量64Kb
存储器组织8K x 8
存储器接口I²C
时钟频率1 MHz
访问时间550 ns
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC
基本产品编号47L64

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64-Kbit I
2
C EERAM
Serial SRAM Features
• Unlimited Reads/Unlimited Writes:
- Standard serial SRAM protocol
- Symmetrical timing for reads and writes
• SRAM Array:
- 8,192 x 8 bits
• High-Speed I
2
C Interface:
- Industry standard: 1 MHz, 400 kHz, and
100 kHz
- Zero cycle delay writes and reads to SRAM
array
- Schmitt Trigger inputs for noise suppression
• Low-Power CMOS Technology:
- Active current: 1 mA (maximum)
- Standby current: 200 µA (maximum)
47L64
8-Lead SOIC
(Top View)
Package Types (not to scale)
V
CAP
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
TDFN
(1)
(Top View)
V
CAP
1
A1
2
A2
3
V
SS
4
8
V
CC
7
WP
6
SCL
5
SDA
Hidden EEPROM Backup Features
• Cell-Based Nonvolatile Backup:
- Mirrors SRAM array cell-for-cell
- Transfers all data to/from SRAM cells in
parallel (all cells at same time)
• Invisible-to-User Data Transfers:
- V
CC
level monitored inside device
- SRAM automatically saved on power disrupt
- SRAM automatically restored on V
CC
return
• 100,000 Backups Minimum
• 100 Years Retention (at 55°C)
Note 1:
Includes Exposed Thermal Pad (EP)
Pin Descriptions
Pin Name
V
CAP
A1, A2
V
SS
SCL
SDA
WP
V
CC
Description
External Capacitor
Hardware Address Pins
Ground
Serial Clock Input
Serial Data Input/Output
Write-Protect Input
Power Supply
Other Features of the 47L64
• Operating Voltage Range: 2.7V to 3.6V
• Temperature Ranges:
- Industrial (I): -40°C to +85°C
• ESD protection: >2,000V
Packages
• 8-Lead SOIC
• 8-Lead TDFN
2019-2020 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS20006168B-page 1

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