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M10082040054X0IWAR

产品描述MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 8Mb(2M x 4) - 54 MHz 8-DFN(5x6)
产品类别半导体    存储器   
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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M10082040054X0IWAR在线购买

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M10082040054X0IWAR概述

MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 8Mb(2M x 4) - 54 MHz 8-DFN(5x6)

M10082040054X0IWAR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装卷带(TR)
存储器类型非易失
存储器格式RAM
技术MRAM(磁阻式 RAM)
存储容量8Mb(2M x 4)
时钟频率54 MHz
电压 - 供电1.71V ~ 2V
工作温度-40°C ~ 85°C
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-DFN(5x6)
基本产品编号M10082040054
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