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FHK4435A

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共2页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHK4435A概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

FHK4435A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)8.8 A
最大漏源导通电阻0.024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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增強型場效應管
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
增強型場效應管
FHK4435A
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
SOT-223
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
高密集
單元設計½導通電阻
Rugged and reliable.
高可靠性
-30V, -8.8A, R
DS(ON)
= 24mΩ@V
GS
= -10V.
R
DS(ON)
= 35mΩ@VGS = -4.5V.
SOT223 package.
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
FUNCTION
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
功½
SOT-223
G
1
Gate
D
2
Drain
S
3
Source
D
4
Drain
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
-30
V
DSS
Gate-Source Voltage
柵極-源極電壓
V
GSS
±20
Drain Current—Continuous
漏極電流-連續
-8.8
I
D
Peak Drain Current
峰值漏極電流
-35
I
DM
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Total Device Dissipation FR-5 Board(1) T
A
=25℃
PD
770
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) T
A
=25℃
P
D
1.3
½耗散功率 氧化鋁襯底
150,
T
J
,
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度
T
stg
-55 to +150
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in, printed-circuit board.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in, 99.5%alumina
DEVICE MARKING
打標
FHK4435A=4435A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓
Zero Gate Voltage Drain Current
零柵電壓漏極電流
Gate-Body Leakage Current,Forward
柵洩漏電流
Gate Threshold Voltage
開啟電壓
Static Drain-Source On-State Resistance
漏源導通電阻
Forward Transconductance
跨導
Unit
單½
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Unit
單½
mW
W
Min
TYP
最小值 典型值
-30
Max
Unit
最大值 單½
V
V
(BR)DSS
V
GS
=0V, I
D
=-250µA
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
g
fs
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, I
D
=-8.8A
V
GS
=-4.5V, I
D
=-5 A
V
DS
=-15V ,I
D
=-8.8A
-1
20
27
12
-1
±100
-3
24
35
µA
nA
V
m
Ω
S
1
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