SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 933 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR3 |
| 存储容量 | 1Gb(64M x 16) |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 933 MHz |
| 写周期时间 - 字,页 | 15ns |
| 访问时间 | 20 ns |
| 电压 - 供电 | 1.425V ~ 1.575V |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TC) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 96-TWBGA(9x13) |
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