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IS43TR16640B-125KBL概述

SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb（64M x 16）并联 800 MHz 20 ns 96-TWBGA（9x13）

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
系列	Automotive, AEC-Q100
包装	托盘
存储器类型	易失
存储器格式	DRAM
技术	SDRAM - DDR3
存储容量	1Gb（64M x 16）
存储器接口	并联
时钟频率	800 MHz
写周期时间 - 字，页	15ns
访问时间	20 ns
电压 - 供电	1.425V ~ 1.575V
工作温度	0°C ~ 95°C（TC）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	96-TFBGA
供应商器件封装	96-TWBGA（9x13）

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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