表面贴装型 N 通道 20 V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3640 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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